单项选择题
A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷
A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.击穿区
A.多子扩散而成 B.少子扩散而成 C.少子漂移而成 D.多子漂移而成
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