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单项选择题

根据费米分布函数，电子占据（E_F+2K₀T）能级的几率（）

A.大于空穴占据E_F的几率
B.等于空穴占据（E_F-2K₀T）能级的几率
C.等于空穴占据（E_F+2K₀T）能级的几率
D.大于电子占据E_F的几率

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单项选择题

‍T>0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）

A.增加
B.不确定
C.不变
D.下降

多项选择题

对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）

A.掺入n型杂质
B.掺入p型杂质
C.本征激发
D.引入深能级

多项选择题

下面（）过程属于间接复合的微观过程。

A.发射电子
B.发射激子
C.俘获空穴
D.声子发射

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