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多项选择题

降温法生长关键控制技术包括（）等。

A.精确控制降温速率
B.合理的供热方式和搅拌程序
C.轻放轻取不引入应力
D.选择合理的生长速率

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单项选择题

膜层与基片的结合强度相比较：（）。

A.蒸镀〉溅射〉离子镀
B.蒸镀〉溅射〈离子镀
C.蒸镀〈溅射〉离子镀
D.蒸镀〈溅射〈离子镀

单项选择题

气相生长晶体的关键是（）

A.严格选择和控制生长条件
B.温场的合理设计
C.仪器控制灵敏
D.外界环境振动干扰较少

单项选择题

气相生长的基本原理：气相原子或分子运动到晶体表面，在一定的条件下被晶体吸收，形成稳定的（）。俘获吸附原子，台阶运动蔓延整个表面，便生长一层晶体薄膜。

A.二维晶核
B.台阶
C.扭折
D.团簇

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