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多项选择题

消除鸟嘴效应的方法有（）。

A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺

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单项选择题
湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
单项选择题
硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
单项选择题
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度
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