014.关于IGBT与MOSFET的主要区别，以下叙述中正确的是：
A、IGBT三个电极分别为基极G、集电极C和发射极E。而MOSFET的三个电极分别为栅极G、漏极D和源极S；
B、IGBT比MOSFET多一层高掺杂P+注入区，实现对了漂移区电导率进行调制，同时具有了反向阻断能力。而电力场效应晶体管是逆导器件；
C、IGBT相当于一个由厚基区PNP晶体管驱动的MOSFET，是双极型器件。而电力场效应晶体管是单极型器件；
D、IGBT比MOSFET工作频率高很多。