P在两歩扩散工艺中，第二步再分布的同时又进行了热氧化（kp=10），这会给再分布扩散带来哪些影响：

A、P扩散速度不变；
B、P扩散速度加快；
C、扩散速度减慢；
D、扩入Si的P总量下降；
E、在SiO2/Si界面Si一侧的P堆积（是指高于SiO2一侧）；
F、在SiO2/Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）。