关于IGBT，下面（   ）不正确。

A．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；
B．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件
C．IGBT存在电导调制效应；
D．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；