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单项选择题

以下说法正确吗。Q4:MacEtch技术在刻蚀Si和GaN 的纳米结构的应用上, 能达到的最小的横向分辨率分别是多少?A4:我们可以用光刻(optical lithography),电子束光刻(EBL,e-beam lithography)甚至可以用扫描透射电子显微术(STEM, scanning transmission electron microscope)来沉积单个原子或者原子线图形,我们也在探索,我们最小能做到什么尺寸。当前的话,最小的结构是利用EBL沉积金属图案获得的5 nm的纳米结构。( )

A.对
B.错
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