欢迎来到牛牛题库网 牛牛题库官网
logo

判断题

在硅片上干氧生长十几nm的氧化层时,可采用D-G模型的线性速率公式来准确计算所需时间。

【参考答案】

错误

(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)

点击查看答案&解析
微信小程序免费搜题
微信扫一扫,加关注免费搜题

微信扫一扫,加关注免费搜题