单项选择题
LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A、温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；B、淀积速率受气相质量输运控制；
C、淀积速率受表面化学反应控制；
D、反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
点击查看答案&解析
单项选择题
微信扫一扫,加关注免费搜题