假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，R_eqp和R_eqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。

A.降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗
B.降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感
C.降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声
D.降低电源电压的同时会使门的延时减小

A.布线层内的互连将给导线带来额外的电阻，称为接触电阻
B.电流往往集中在一个较大接触孔的周边，这一效应称为电流集聚，电流集聚效应将限制接触孔的最小尺寸
C.为了降低接触电阻，接触孔应该设计得尽可能大
D.为避免过多的接触或通孔，应该尽可能地使信号线保持在同一层

A.结电容是由正向偏置的源-体和漏-体之间的pn结引起的
B.横向扩散xd是由工艺决定的，习惯上把它与每单位面积的栅氧电容相乘得到每单位晶体管宽度的覆盖电容
C.避免电路工作在阈值电压附近可以使线性电容具有较好特性
D.栅至沟道的电容CGC的大小以及它的划分取决于工作区域和端口电压