多项选择题
A.设备简单B.不受固溶度限制C.避免高温过程D.杂质纯度高
掺杂的目的可能是（）A.形成PN结B.改变材料的电阻率C.改变材料的某些特性D.形成一定的杂质分布
多项选择题掺杂的目的可能是（）
A.形成PN结B.改变材料的电阻率C.改变材料的某些特性D.形成一定的杂质分布
属于绝缘介质膜的是（）A.砷化镓B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅
多项选择题属于绝缘介质膜的是（）
A.砷化镓B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降...
多项选择题为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
