多项选择题
A.砷化镓B.二氧化硅C.氮化硅D.多晶硅
为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降...
多项选择题为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）
A.衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B.用两步外延法C.低压外延法D.降低外延生长温度
PVD的种类有（）A.真空蒸镀B.等离子体C.溅射D.二氧化硅
多项选择题PVD的种类有（）
A.真空蒸镀B.等离子体C.溅射D.二氧化硅
CVD的特点是（）A.薄膜成分可控B.速度优于PVDC.黏附性好D.纯度高
多项选择题CVD的特点是（）
A.薄膜成分可控B.速度优于PVDC.黏附性好D.纯度高
