单项选择题
A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加衬底掺杂浓度
以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）A.降低衬底掺杂浓度B.增加栅氧化层厚度C.增加沟道宽度D....
单项选择题以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅？（）
A.降低衬底掺杂浓度B.增加栅氧化层厚度C.增加沟道宽度D.减小沟道长度
以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）A.减小栅氧化层厚度B.减小沟道宽度C.提高阈值电压D...
单项选择题以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流？（）
A.减小栅氧化层厚度B.减小沟道宽度C.提高阈值电压D.增加沟道长度
ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。A.发射极开路、集电结反偏B.发射极反偏、集电结开路C...
单项选择题ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
A.发射极开路、集电结反偏B.发射极反偏、集电结开路C.发射极短路、集电结反偏D.发射极正偏、集电结反偏
