单项选择题
A.发射极开路、集电结反偏B.发射极反偏、集电结开路C.发射极短路、集电结反偏D.发射极正偏、集电结反偏
为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。A.高浓度、浅结深B.低浓度、浅结深C.低浓度、深结深D...
单项选择题为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
A.高浓度、浅结深B.低浓度、浅结深C.低浓度、深结深D.高浓度、深结深
在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。A.正偏和正偏B.零偏和反偏C.反偏和反偏D.正...
单项选择题在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
A.正偏和正偏B.零偏和反偏C.反偏和反偏D.正偏和反偏
在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。A.AB.BC.CD.D
在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。
A.AB.BC.CD.D
