有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

判断题离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。

热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

判断题热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。

判断题替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。