计算题 半导体中载流子浓度n₀=10¹⁴cm^-3，本征载流子浓度n_i=10¹⁰cm^-3，非平衡空穴浓度，非平衡空穴的寿命τn₀=10^-6s，计算电子-空穴的复合率，计算载流子的费米能级和准费米能级、能级和准费米能级。

砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。

问答题砷化镓中施主杂质浓度为10¹⁶cm^-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。

硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。

问答题硅中受主杂质浓度为10¹⁷cm^-3，计算在300K下的载流子浓度n₀和p₀。

在300K下硅中电子浓度n0=2×103cm-3，计算硅中空穴浓度p0。判断该半导体是n型还是p型半导体。

问答题在300K下硅中电子浓度n₀=2×10³cm^-3，计算硅中空穴浓度p₀。判断该半导体是n型还是p型半导体。