单项选择题
A.电子B.空穴C.带正电的电离施主杂质D.带负电的电离受主杂质
空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。A.电荷密度B.电流密度C.正电荷密度D.负电荷密度
单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。
A.电荷密度B.电流密度C.正电荷密度D.负电荷密度
某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因...
单项选择题某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
A.2A/V2B.3A/V2C.4A/V2D.1A/V2
某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器...
单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
A.40AB.25AC.36AD.12A
