某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.沟道长度D.氧化层固定电...

单项选择题‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）

‎某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。A.1K...

单项选择题‎某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。

CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect...

单项选择题C_TE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，C_TE的存在意味着i_e必须先付出对势垒区充放电的多子电流i_ect后，才能建立起一定的i_pe。这一过程需要的时间是（）。