判断题
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共模抑制比越大,差放电路分辨差模信号的能力越强,受共模信号的影响越小。
判断题共模抑制比越大,差放电路分辨差模信号的能力越强,受共模信号的影响越小。
温度每升高1℃,uBE就减小2~2.5mV。
判断题温度每升高1℃,uBE就减小2~2.5 mV。
硅管的正向导通压降大于锗管。
判断题硅管的正向导通压降大于锗管。