问答题

简答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

【参考答案】

不用SF₆等F基气体是因为Cl基气体刻蚀多晶硅对下层的栅氧化层有较高的选择比。

相关考题

为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

问答题为什么0.25微米以下工艺的干法刻蚀需要高密度等离子体？

简述ULSI对刻蚀的要求。

问答题简述ULSI对刻蚀的要求。

刻蚀有哪些参数？

问答题刻蚀有哪些参数？

集成电路工艺原理