‍对于中等掺杂的某半导体样品，T=450K时，其空穴扩散系数为15cm²/s，则空穴迁移率大约为（）cm²/V·s。

‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×106cm-3，掺杂浓度为ND=1015cm-3，电子和空穴的迁移率分...

单项选择题‏室温下，某半导体的本征载流子浓度为2×10⁶cm^-3，掺杂浓度为N_D=10¹⁵cm^-3，电子和空穴的迁移率分别为8500cm²/V·s和400cm²/V·s。若外加电场强度为10V/cm，则其漂移电流密度为（）A/cm²。

‏对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，...

单项选择题‏对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。

已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为10Ω·cm，则其掺杂浓度最可能为（）cm-3。A.1.3×10...

单项选择题已知仅掺杂磷的n型硅样品，且其室温时的电阻率为10Ω·cm，则其掺杂浓度最可能为（）cm^-3。