化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。

（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A.薄膜成长B.蒸发C.薄膜沉积D.溅射E.以上都正确

多项选择题（）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。

下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A.薄膜沉积B.薄膜成长C.蒸发D.溅射

单项选择题下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金属C....

多项选择题下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。