单项选择题
A.薄膜沉积 B.薄膜成长 C.蒸发 D.溅射
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A.二氧化硅氮化硅B.多晶硅硅化金属C....
多项选择题下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
A.二氧化硅氮化硅 B.多晶硅硅化金属 C.单晶硅多晶硅 D.铝铜 E.铝硅
以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A.单晶硅B.多晶硅C.硅化金属D.二氧化硅E.氮化...
多项选择题以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
A.单晶硅 B.多晶硅 C.硅化金属 D.二氧化硅 E.氮化硅
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A.n...
单项选择题晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A.n型掺杂区 B.P型掺杂区 C.栅氧化层 D.场氧化层
