单项选择题
A.势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效B.扩散电容可用平板电容等效，而势垒电容则不能C.势垒电容可用平板电容等效，而扩散电容则不能D.势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效
典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。A.0.3B.0.1C.0.6D.0.9
单项选择题典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.0.3B.0.1C.0.6D.0.9
Pn结中耗尽区分布规律是（）。A.重掺杂一侧宽B.无论轻重，一样宽C.无法确定D.轻掺杂一侧宽
单项选择题Pn结中耗尽区分布规律是（）。
A.重掺杂一侧宽B.无论轻重，一样宽C.无法确定D.轻掺杂一侧宽
某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为：（）A.本征区B.低温弱...
单项选择题某N型掺杂Si材料，其费米能级随温度而发生变化。其费米能级最高的位置对应的温度区间为：（）
A.本征区B.低温弱电离区C.过渡区D.中等电离区
