单项选择题
A.本征区B.低温弱电离区C.过渡区D.中等电离区
Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中,其横向有效质量()纵向有效质量。A.无法确定大小关系B.=C.<D...
单项选择题Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中,其横向有效质量()纵向有效质量。
A.无法确定大小关系B.=C.<D.>
Si晶体的第一布里渊区是个()体。A.正菱形12面体B.球体C.截角8面体D.立方体
单项选择题Si晶体的第一布里渊区是个()体。
A.正菱形12面体B.球体C.截角8面体D.立方体
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在()。A.漏区B.沟道区靠近漏区...
单项选择题衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在()。
A.漏区B.沟道区靠近漏区一侧C.沟道区靠近源区一侧D.源区