单项选择题
A.SiH4加PH3 B.SiH4加BH3 C.PH3加BH3 D.SiH4加B2H6
非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。A.104℃/sB.105℃/sC.103℃/sD.102℃/s
单项选择题非晶硅的制备需要的冷却速度至少（）。
A.104℃/s B.105℃/s C.103℃/s D.102℃/s
非晶硅的禁带宽度为（）。A.2.12eVB.1.6eVC.1.5eV，并且在一定程度上可调D.1.12eV
单项选择题非晶硅的禁带宽度为（）。
A.2.12eV B.1.6eV C.1.5eV，并且在一定程度上可调 D.1.12eV
非晶硅的沉积温度为（）。A.900～1300℃B.500～700℃C.100～300℃D.1000～1400℃
单项选择题非晶硅的沉积温度为（）。
A.900～1300℃ B.500～700℃ C.100～300℃ D.1000～1400℃
