由于栅氧化层中通常带（）电荷，所以（）型区比（）型区更容易发生反型。

P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

填空题对高频晶体管结构上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。