问答题
①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长）②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积）③保......
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SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、...
填空题SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
简述掺氯氧化工艺。
问答题简述掺氯氧化工艺。
在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？
问答题在实际的SiO2–Si系统中，存在几种电荷？
