硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。

高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。

判断题高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。

腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。

判断题腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。

测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。

判断题测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。