单项选择题
A.71B.21C.11D.61
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV,等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征...
单项选择题单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV,等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为()。
A.1.34×109/cm3B.6.7×108/cm3C.2.2×109/cm3D.1.1×109/cm3
已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm,固有振动频率为1012Hz,晶格势能垒为0.5eV,求300K...
单项选择题已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm,固有振动频率为1012Hz,晶格势能垒为0.5eV,求300K时的离子迁移率为()。
A.1.24×10-10cm2/s·VB.6.19×10-11cm2/s·VC.9.14×10-10cm2/s·VD.4.57×10-10cm2/s·V
下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是()。A.AB.BC.CD.D
下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是()。
A.AB.BC.CD.D