单项选择题
A.热击穿B.隧道击穿C.齐纳击穿D.载流子的倍增效应
实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）A.产生率等于复合率B.产生率小于复合率C...
单项选择题实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）
A.产生率等于复合率B.产生率小于复合率C.产生率大于复合率D.存在净复合率
下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）A.小注入条件B.突变耗尽层条件C.耗尽层有载流子的产生与复合D....
单项选择题下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）
A.小注入条件B.突变耗尽层条件C.耗尽层有载流子的产生与复合D.玻尔兹曼边界条件
小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为r，则非平衡载流子的寿命为（）A.1/（rn0）...
单项选择题小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为r，则非平衡载流子的寿命为（）
A.1/（rn0）B.1/（rp0）C.1/（r△p）D.1/（r△n）
