单项选择题
A.小注入条件B.突变耗尽层条件C.耗尽层有载流子的产生与复合D.玻尔兹曼边界条件
小注入条件下,对于n型半导体的直接复合,若电子-空穴复合概率为r,则非平衡载流子的寿命为()A.1/(rn0)...
单项选择题小注入条件下,对于n型半导体的直接复合,若电子-空穴复合概率为r,则非平衡载流子的寿命为()
A.1/(rn0)B.1/(rp0)C.1/(r△p)D.1/(r△n)
已知半导体的费米能级位于禁带内,且距离导带底约1/3禁带宽度,则平衡电子浓度n0和空穴浓度p0的大小关系约为(...
单项选择题已知半导体的费米能级位于禁带内,且距离导带底约1/3禁带宽度,则平衡电子浓度n0和空穴浓度p0的大小关系约为()
A.n0=p0B.n0<p0C.n0>p0D.n0=2p0
电离杂质散射概率与温度关系正确的是()A.AB.BC.CD.D
电离杂质散射概率与温度关系正确的是()
A.AB.BC.CD.D