多项选择题
A.增加发射结的结面积B.增加发射极总条长C.采用多发射极条，使得单根发射极条长不要太长D.减小基区串联电阻
减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）A.采用双基极条B.减少无源基区掺杂浓度C.增加无源基区掺杂浓度D.增加...
多项选择题减小基区串联电阻的主要技术途径包括（）
A.采用双基极条B.减少无源基区掺杂浓度C.增加无源基区掺杂浓度D.增加基极条和发射极条之间的距离
增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）A.使...
多项选择题增大直流偏置电压VCE对基区渡越时间τb集电结势垒电容充放电时常数τc影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τb增大而使得fT下降B.使得τc增大而使得fT下降C.使得τb减小而使得fT增加D.使得τc减小而使得fT增加
增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）A....
多项选择题增大直流偏置电流IE对发射结势垒电容充放电时常数τe和基区渡越时间τb的影响进而对特征频率fT的影响是（）
A.使得τe增大而使得fT下降B.使得τb增大而使得fT下降C.使得τe减小而使得fT增加D.使得τb减小而使得fT增加
