在硅表面LPCVD-Si₃N₄之前，都会先热生长薄氧化层，它被称为（）层。

‍铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。

填空题‍铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性（）的特点。

干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。

填空题干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、（）刻蚀三种。

多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。

填空题多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，（）蒸发两种。