单项选择题
A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。A.生长速率随着气体流量的增加而增大B.不同的晶向生长速率不同C.温度...
单项选择题以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
A.生长速率随着气体流量的增加而增大B.不同的晶向生长速率不同C.温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高D.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。A.采用低温外延技术B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅C.采用含...
单项选择题以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
A.采用低温外延技术B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅C.采用含卤原子的硅源D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。A.会促进氧沉淀的形成B.在机械性质上对硅晶体有益C.在现在的...
单项选择题以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
A.会促进氧沉淀的形成B.在机械性质上对硅晶体有益C.在现在的制造技术中浓度一般小于1016每立方厘米D.一般处于替位态
