单项选择题
A.采用低温外延技术B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅C.采用含卤原子的硅源D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。A.会促进氧沉淀的形成B.在机械性质上对硅晶体有益C.在现在的...
单项选择题以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
A.会促进氧沉淀的形成B.在机械性质上对硅晶体有益C.在现在的制造技术中浓度一般小于1016每立方厘米D.一般处于替位态
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质B.主要来源于坩埚...
单项选择题以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。
A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质B.主要来源于坩埚的污染C.是直拉硅中浓度最高的杂质D.对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除
以下对于直拉生长描述错误的是（）。A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险B.连续直拉法制...
单项选择题以下对于直拉生长描述错误的是（）。
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
