计算题 已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为x_jc=5μm，x_je=3μm，电子扩散系数D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基区方块电阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω计算其电流放大系数α、β。

硅npn晶体管的材料参数和结构如下： 计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数αT，VBE=0.55V，计...

问答题

硅npn晶体管的材料参数和结构如下：

计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数α_T，V_BE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。

已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci...

问答题已知硅p⁺n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结C_i=8.45×10^-36cm^-1，锗pn结C_i=6.25×10^-34cm^-1）

在杂质浓度ND=2×1015cm-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为NA=1018cm-3，结深...

问答题在杂质浓度N_D=2×10¹⁵cm^-3的硅衬底上扩散硼形成pn结，硼扩散的便面浓度为N_A=10¹⁸cm^-3，结深5μm，求此pn结5V反向电压下的势垒电容。