单项选择题
A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化层比干氧氧化层致密D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率
CMOSIC通常采取那种隔离方法（）A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离
多项选择题CMOSIC通常采取那种隔离方法（）
A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离
可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）A.增长光源波长B.增大分辨率系数C.减小分辨率系数D.缩短光源波长
多项选择题可以采取哪种方法来提高光刻分辨率（）
A.增长光源波长B.增大分辨率系数C.减小分辨率系数D.缩短光源波长
下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）A.RIEB.MOCVDC.溅射D.LPCVD
多项选择题下列哪个工艺方法应用了等离子体技术（）
A.RIEB.MOCVDC.溅射D.LPCVD
