单项选择题
A.慢；大B.快；大C.快；小D.慢；小
短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（），使PM...
单项选择题短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（），使PMOS器件的阈值电压（）。
A.升高；升高B.升高；降低C.降低；升高D.降低；降低
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是（）A.当源与体之间存在衬底偏置电压时，将会使n沟MOS管的阈值电...
单项选择题下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是（）
A.当源与体之间存在衬底偏置电压时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大B.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值C.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大
二极管在正向偏置条件下，势垒（），耗尽区的宽度（）。A.降低；变窄B.降低；变宽C.升高；变窄D.升高；变宽
单项选择题二极管在正向偏置条件下，势垒（），耗尽区的宽度（）。
A.降低；变窄B.降低；变宽C.升高；变窄D.升高；变宽
