问答题
证明反向饱和电流可以改写为。
证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为...
问答题现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为多少？说明为什么会有这种差别？
PN结的扩散电势与哪些因素有关？
问答题PN结的扩散电势与哪些因素有关？
可以改写为
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