问答题
步骤:阱区离子注入;定义有源区刻蚀及在绝缘沟槽中填充氧化物;淀积及形成多晶硅层图形;......
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试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
问答题试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
问答题试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。
亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。
问答题亚微米CMOS工艺采用的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。