为了避免陷落效应，晶体管的发射区多采用（）扩散来代替磷扩散。

引起反向恢复过程的原因是PN结在（）期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。A.反向恢复B.正向导通C.碰撞电离...

单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在（）期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。

当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞...

单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度E_g时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN 结的（）中。

外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp（）。A.高qVB.低qVC.高q（Vbi-V）D.低q（Vbi-V...

单项选择题外加正向偏压为V时，势垒区中E_Fn比E_Fp（）。