单项选择题
A.正，电子积累B.负，电子积累C.正，空穴反型层D.正，电子反型层
一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的A.正，正B...
单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的
A.正，正B.正，负C.负，正D.负，负
P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的A.正，正B.正...
单项选择题P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的
不影响MOS管阈值电压的参数有（）A.栅氧厚度B.衬底浓度C.源漏区的长度D.有效表面态电荷
单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有（）
A.栅氧厚度B.衬底浓度C.源漏区的长度D.有效表面态电荷
