单项选择题
A.磁控溅射B.VPEC.LPCVDD.APCVD
基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。A.核阻止和电子阻止是独立的B.核阻止本领>电子阻止...
单项选择题基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。
A.核阻止和电子阻止是独立的B.核阻止本领>电子阻止本领C.核阻止本领< 电子阻止本领D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关
CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）A.温度升高，略有下...
单项选择题CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）
A.温度升高，略有下降B.与温度无关C.温度升高，略有增加D.都相同
看图判断下列描述是否正确？（）A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函...
看图判断下列描述是否正确？（）
A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数C.是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数D.是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数
