单项选择题
A.核阻止和电子阻止是独立的B.核阻止本领>电子阻止本领C.核阻止本领< 电子阻止本领D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关
CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）A.温度升高，略有下...
单项选择题CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）
A.温度升高，略有下降B.与温度无关C.温度升高，略有增加D.都相同
看图判断下列描述是否正确？（）A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函...
看图判断下列描述是否正确？（）
A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数C.是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数D.是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数
关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化...
单项选择题关于硅的热氧化，下面哪种说法正确？（）
A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化层比干氧氧化层致密D.升高氧气（或水汽）分压不影响生长速率
