已知Al₂O₃的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米SiO₂的高K栅介质层材料，所需Al₂O₂的厚度为（）。

下面（）的噪声容限最大。A.电阻型负载MOS倒相器B.增强型-耗尽型MOS倒相器C.互补MOS倒相器D.增强型...

单项选择题下面（）的噪声容限最大。

‍下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。A.降低少子复合寿命B.降低电源电压C.缩小器件尺寸D.减小衬底/阱...

单项选择题‍下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。

‏开关速度最快的MOS反相器是（）。A.E-R MOS（电阻型负载）B.E-E MOSC.E-D MOSD.无...

单项选择题‏开关速度最快的MOS反相器是（）。