单项选择题
A.E-R MOS（电阻型负载）B.E-E MOSC.E-D MOSD.无法确定
在推导MOSFET电流方程时，假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑，MOSFET正常工作时，（）。A.沟...
单项选择题在推导MOSFET电流方程时，假设沟道区不存在产生复合电流。若严格考虑，MOSFET正常工作时，（）。
A.沟道区同时存在产生电流和复合电流，但可相互抵消B.沟道区既不存在产生电流，也不存在复合电流C.沟道区存在复合电流D.沟道区存在产生电流
（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加S...
单项选择题（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。
A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加SiO2层的厚度
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。A.半...
单项选择题理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
