Al膜反射率过高，会对光刻产生不利影响。

为了不与薄膜成分发生反应，溅射气体通常使用惰性气体。

判断题为了不与薄膜成分发生反应，溅射气体通常使用惰性气体。

大尺寸的晶粒有利于防止电迁移。

判断题大尺寸的晶粒有利于防止电迁移。

CVD TiN的工艺温度不能超过350C。

判断题CVD TiN的工艺温度不能超过350C。