通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延...

多项选择题在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

判断题如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl₄）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。

填空题拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。